Los que trabajan
en la informática suelen emplear el término "memoria"
para aludir a Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio) o RAM.
Una computadora utiliza la memoria de acceso aleatorio para almacenar
las instrucciones y los datos temporales que se necesitan para ejecutar
las tareas. De esta manera, la Central Processing Unit (unidad central
de proceso) o CPU puede accesar rápidamente las instrucciones y
los datos almacenados en la memoria.
Muchas personas
confunden los términos memoria y almacenamiento, especialmente
cuando se trata de la cantidad que tienen de cada uno. El término
"memoria" significa la cantidad de RAM instalada en la computadora,
mientras que "almacenamiento" hace referencia a la capacidad
del disco duro.
Memorias no volátiles: No pierden su contenido. Un ejemplo sería el BIOS. Dentro de este grupo están las memorias tipo Flash. Ejemplo: BIOS de la tarjeta gráfica, tarjetas de memoria, reproductores MP3, móviles y en los pendrive.
Memorias volátiles: Son memorias de tipo temporal que pierden su contenido.Ejemplos: la RAM y memorias caché.
Los módulos
se componian de 8 chips + 1 chip de paridad (control errores) = 9 chips.
El Adress
Bus limita la cantidad de RAM:
CPU RAM
8 bits 8 bits
16 bits 16 bits (se colocan 2 módulos de 8 bits) esto es un banco.
CPU ->
(Bus de direcciones) NORTHBRIGE -> RAM -> HD.
CPU <-
(Bus de datos) NORTHBRIGE <- RAM <- HD.
La RAM se estructura en filas de 64 bits para optimizar el flujo de datos
de entrada/salida del bus de datos de 64 bits en las CIPU modernas. La
CPU le indica al northbridge que recoja una fila de RAM y después
el northbridge accede a todos los pequeños chips de la placa RAM
y coloca un grupo de datos de 64 bits en el bus de datos.
El CPU (unidad
central de proceso) de la computadora procesa los datos en unidades de
8 bits. Como se menciona anteriormente, a estas unidades se les denomina
"bytes". Debido a que el byte es la unidad fundamental para
el proceso, la potencia del CPU a menudo se describe de acuerdo con el
número de bytes que puede procesar a la vez. Por ejemplo, los microprocesadores
Pentium y PowerPC más potentes de la actualidad son CPUs de 64
bits, lo cual significa que pueden procesar simultáneamente 64
bits ó 8 bytes.
Cada transacción
entre la CPU y la memoria se denomina ciclo de bus. El número de
bits de datos que la CPU puede transferir durante un ciclo de bus afecta
al rendimiento de la computadora y determina la clase de memoria que se
requiere. La mayoría de las computadoras de escritorio utilizan
SIMMs de 72 ó 30 contactos. Un SIMM de 30 contactos da soporte
para ocho bits de datos; un SIMM de 72 contactos da soporte para 32 bits
de datos.
La memoria trabaja en 2 procesos: wide-height:
La anchura es fija a 8 bits (1 byte).
La altura llegaba hasta 1 MB en el microprocesador 8088/8086, 16 MB en el 286 y 4.096 MB en el 386 y superiores.
Dividir la anchura de banda por SIMM o DIMM:
EDB -> 64
SIMM -> 32
64/32 = 2.
Explicación
en binario. Por ejemplo con 3 cables. Los cables se cargan y descargan:
000
001
010
011
100
101
110
111
Con un bus
de 3 cables tenemos 8 direcciones, con 4 cables 16 direcciones.
La mayoria de los buses de direcciones tienen 32 cables. 2^32 = 4.294.967.296
Tipos de
empaquetado de la RAM:
DIPP: iba
soldado a la placa.
30 PIN SIPP (single In-line Pin Package)
30 PIN SIMM (Single In-line Memory Module).
72 PIN SIMM (Single In-line Memory Module).
72 PIN SIMM (con 72 conectores, es de 32 bits).
Conectores
por los 2 lados; puedo aumentar la anchura. Normalmente tienen 168 contactos
divididos en 2 caras. 32 x 2 = 64 bits.
Los de 144
contactos para portátiles -> SO-DIMM (Small Outline).
|
En este ejemplo,
la placa madre tiene 4 MB de memoria soldados a la placa. También
tiene 4 ranuras SIMM para la expansión de la memoria, dos de las
cuales contienen SIMMs. |
Un producto de memoria bastante común es el SIMM (Single In-line
Memory Module). Como se puede observar en la ilustración, un SIMM
típico consiste en varios chips de DRAM instalados en una pequeña
placa de circuito impreso o PCB, la cual encaja en una ranura SIMM en
la placa del sistema (se darán detalles adicionales más
adelante).
Los SIMMs
vienen con varios formatos, incluyendo los de 30 y 72 contactos.
Una de las ventajas principales de la memoria SIMM es la capacidad para
acomodar grandes cantidades de memoria en un área reducida. Algunos
SIMMs de 72 contactos contienen 20 ó más chips de DRAM;
4 de estos SIMMs contendrían 80 ó más chips de DRAM.
Si estos chips se instalaran horizontalmente en la placa madre, ocuparían
135 cm2 de área superficial. Los mismos 80 chips de DRAM en SIMM
en instalación vertical ocupan solamente 58 cm2 de área
superficial.
Veamos un
ejemplo de una CPU que da soporte para 32 bits de datos. Si la placa madre
tiene ranuras para SIMMs de 30 contactos donde cada uno proporciona 8
bits de datos, se necesitaran 4 SIMMs de 30 contactos para obtener 32
bits, (esta es una configuración común en los sistemas que
utilizan SIMMs de 30 contactos). En un sistema de esta clase, la configuración
de memoria típicamente se divide entre dos bancos de memoria: el
banco cero y el banco uno. Cada banco de memoria consta de cuatro ranuras
de SIMMs de 30 contactos. La CPU se dirige a un banco de memoria a la
vez.
Nota:
Con la mayoría de las computadoras, la combinación de SIMMs
de diversas capacidades en el mismo banco no permite que la computadora
detecte con exactitud la cantidad de memoria disponible. Esto puede ocasionar
uno de estos dos problemas: 1) La computadora no arrancará. 2)
La computadora arrancará pero no reconocerá, ni utilizará
parte de la memoria del banco. Por ejemplo, si un banco tuviera tres SIMMs
de 1 megabyte y un SIMM de 4 megabytes, el sistema los reconocería
a todos como SIMMs de 1 megabyte.
El SIMM de
72 contactos fue desarrollado para satisfacer los requisitos de memoria
cada vez mayores de las computadoras de escritorio. Un SIMM de 72 contactos
da soporte a 32 bits de datos, es decir, cuatro veces más bits
de los que se pueden obtener con un solo SIMM de 30 contactos. Si tiene
un CPU de 32 bits, como Intel 486 - Motorola 68040, necesitara sólo
un SIMM de 72 contactos por banco para proveerle a la CPU de 32 bits.
Tal como vimos en la sección anterior, este mismo CPU requeriría
4 SIMMs de 30 contactos por banco para obtener sus 32 bits de datos.
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La representación gráfica muestra la manera en que
se combinan los SIMMs para proporcionar 32 bits de datos al CPU. |
Los módulos de memoria DIMM, o Dual In-line, se parecen bastante
a la memoria de tipo SIMM. Al igual que los SIMMs, la mayoría de
los DIMMs se instalan verticalmente en las ranuras de expansión.
La diferencia principal entre los dos consiste en que, en un chip SIMM,
los contactos de cada fila se unen con los contactos correspondientes
de la otra fila para formar un sólo contacto eléctrico;
en un chip DIMM, los contactos opuestos permanecen eléctricamente
aisladas para formar dos contactos separados.
Los DIMMs se utilizan frecuentemente en las configuraciones que dan soporte
para un bus de memoria de 64 bits o más. En muchos casos, estas
configuraciones se basan en procesadores potentes de 64 bits, como el
Pentium de Intel o PowerPC de IBM.
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMM con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia, llamado ancho de banda.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datos más rápido,y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
La memoria "tarjeta de crédito" ha sido diseñada
para su uso en las computadoras "laptop" y portátiles.
Debido a sus dimensiones compactas, es ideal para las aplicaciones donde
el espacio es limitado. Se le denomina así debido a que sus dimensiones
son aproximadamente las de una tarjeta de crédito.
Expansión de memoria "tarjeta de crédito"
|
Físicamente, la memoria "tarjeta de crédito"
se parece muy poco a la memoria SIMM descrita anteriormente. Sin embargo,
se emplean los mismos componentes habituales en la construcción
interna de los SIMMs. |
Nota: Si bien su apariencia es similar, la memoria "tarjeta
de crédito" no se debe confundir con una tarjeta PCMCIA (Personal
Computer Memory Card International Association). La memoria "tarjeta
de crédito" utiliza una ranura no-PC en la computadora, y
ha sido diseñada solamente para expandir la memoria. Sin embargo,
Kingston, también ofrece productos que se adaptan a la norma PCMCIA,
la cual fue diseñada para la conexión de dispositivos de
entrada/salida a las computadoras "laptop" y portátiles.
Un módulo de memoria se compone de células eléctricas.
El proceso de tecnología "refresh" recarga estas células,
las cuales se ordenan por filas en el chip. La velocidad de la tecnología
"refresh" hace referencia al número de filas que se deben
regenerar.
Las dos velocidades de la tecnología "refresh" más
comunes son de 2K y 4K. Los componentes 2K son capaces de regenerar mas
células a la vez y finalizan el proceso más rápidamente;
por lo tanto, los componentes 2K consumen mayor potencia que los 4K.
Los componentes diseñados específicamente para DRAM cuentan
con la tecnología de "refresh" automática, la
cual hace posible que los componentes se regeneren por sí solos,
independientemente de la CPU o de los circuitos externos. La tecnología
"refresh" automática que está incorporada en el
mismo chip de DRAM, reduce de forma espectacular el consumo de potencia.
Se utiliza comúnmente en las computadoras portátiles y "laptop".
Es una memoria dinámica: DRAM.
Hay 5 tecnologías.
En los primeros pc tenian todos una capacidad de 1 bit. Tenian 8 chips
con 1 bit cada uno, asi proporcionaban 8 bits alos comandos de RAM. Iban
montados a presion a la placa base.
Esta ram funcionó durante los primreos 10 años de existencia
del pc.
La memoria Extended Data Output, o EDO, es una innovación reciente
en la tecnología de chips de DRAM. En los sistemas de computadora
diseñados para esta tecnología, la memoria EDO permite a
la CPU obtener acceso a la memoria a una velocidad de diez a quince por
ciento más rápido, que los chips comparables. Las computadoras
que han sido diseñadas para aprovechar las ventajas de velocidad
EDO son las que incorporan el chip Tritón de Intel
Trabajaba en nanosegundos.
MEJORAS --> disminuir la cantidad de refresco de la memoria.
En las de más calidad se incorpora un ECC (Error correction code).
Ambas montadas en la placa y estan oboseltas. Eran asíncronas.
La CPU tenia que esperar.
DRAM sincrónica es una nueva tecnología que utiliza
un reloj para sincronizar la entrada y salida de señales en un
chip de memoria. El reloj está coordinado con el reloj de la CPU
para que el tiempo de los chips de memoria y de la CPU estén sincronizados.
DRAM sincrónica ahorra tiempo al ejecutar los comandos y transmitir
los datos, aumentando de esta manera el rendimiento total de la computadora.
SDRAM -> Synchronous Dynamic RAM. En lugar de utiizar nanosegundos
utiliza el reloj de sistema para trabajar. Si el relof de sistema va a
133 MHz, la memoria trabaja a 133 MHz.. Es más rápida.
Es una sdram pero puede realziar 2 accesos en cada ciclo de reloj.
Velocidades: (200,266,333,400MHz.). -> pentium 4.
Los bancos vacios se han de puentear.
Referirse siempre a la placa base para ampliar y saber velocidades.
RDRAM es un diseño único, desarrollado por Rambus Inc.
RDRAM es extremadamente veloz. Usa un estrecho canal de alta capacidad
en banda de transmisión, transfiriendo información diez
veces más rápido que el SDRAM convencional. Para finales
de 1999, la tecnología Rambus será usada como la principal
memoria de para PC.
RDRAM (rambusdram): 184 contactos y funciona a 1,5-2 veces más
que el bus de placa.
La memoria Cache es una clase de memoria especial de alta velocidad que
esta diseñada para acelerar el proceso de las instrucciones de
memoria en la CPU. La CPU puede obtener las instrucciones y los datos
ubicados en la memoria cache mucho más rápidamente que las
instrucciones y datos almacenados en la memoria principal. Por ejemplo,
en una placa madre típica de 100 megahertz, el CPU necesita hasta
180 nanosegundos para obtener información de la memoria principal,
mientras que la información de la memoria cache sólo necesita
de 45 nanosegundos. Por lo tanto, cuantas más instrucciones y datos
la CPU pueda obtener directamente de la memoria cache, más rápido
será el funcionamiento de la computadora.
Las clases de memoria cache incluyen cache principal (también
conocida como cache de Nivel 1 [L1]) y cache secundaria (también
conocida como cache de Nivel 2 [L2]). La memoria cache también
puede ser interna o externa. La memoria cache interna esta incorporada
en la CPU de la computadora, mientras que la externa se encuentra fuera
de la CPU.
La memoria cache principal es la que se encuentra más próxima
a la CPU. Normalmente, la memoria cache principal esta incorporada en
la CPU y la memoria cache secundaria es externa. Algunos modelos anteriores
de computadoras personales tienen chips de CPU que no incluyen memoria
cache interna. En estos casos, la memoria cache externa, si existiera,
sería en realidad cache primaria (L1).
Anteriormente utilizamos la analogía de una oficina con una mesa
de trabajo y varios archiveros para explicar la relación entre
la memoria principal y el disco duro de la computadora. Si la memoria
es como la mesa de trabajo en la que se colocan los archivos en uso para
que estén siempre al alcance, la memoria cache es como un tablero
de anuncios en el que se colocan los papeles que se utilizan con mayor
frecuencia. Cuando se necesita la información del tablero de anuncios,
simplemente se mira al tablero.
- Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
- Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.
- Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.
- Se mandan datos 4 veces en un mismo ciclo (x4).
Las diferencias con la DDR2 es que trabaja con un voltaje de 1,5 v. y se mandan el doble de datos, o sea, x8. Es una memoria DRAM del tipo SDRAM y se la denomina SDRAM-DDR3.
Existe una técnica que empezóa usarse con la aparición de las memorias DDR, que consiste en multiplicar el número de datos (bits) mandados en un único ciclo de reloj a base de utilizar los dos flancos de la señal, tanto el de subida como el de bajada.
Esta técnica se ha perfeccionado hasta lograr que en cada flanco se puedan transmitir varios datos. en la memoria DDR3 se envian 4 datos en cada flanco, por lo que se multiplica el número de datos transmitidos por 8 sin tener que aumentar la frecuencia de trabajo. La memoria DDR3 -1333, aunque trabaje a 166 MHz, En realdiad su ratio de transferencia es 8 veces mayor (x8), o sea, de 1.333 MT/s.
En el esquema vemos la comparación entre un bus normal,uno doble y otro cuatriplicado. La frecuencia es la misma para todos ellos pero la cantidad de datos que se envian en cada ciclo es 4 veces mayor.
La tasa de transferencia de los buses se calcula multiplicando los megatransfers (megaciclos/segundo) por el tamaño de los datos (bits/ciclo, que equivale a la cantidad de bits que puede transferir a la vez) por el factor de conversión (1 byte/8 bits). Para calcular la tasa de transferencia del bus DDR3-1333, realizaremos el siguiente cálculo:
1333 MTransfers/seg. x 64 bits/ciclo x 1 byte/8 bits = 10.667 Megabyte/segundo (10,6 GB/s)
Algunos ejemplos:
DDR2-800: Frecuencia: 200 MHz. Multiplicador: x4. Velocidad: 800 GT/s. Denominación del módulo: PC2-6400, lo que significa un ancho de banda de: 6,4 GB/s
DDR3-1600: Frecuencia: 200 MHz. Multiplicador: x8. Velocidad: 1.600 MT/s. Denominación del módulo: PC3-12800, lo que significa un ancho de banda de: 12,8 GB/s.
Explicación: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica el ancho de banda teórico (aunque suele estar redondeado). El ancho de banda se calcula multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la DDR2 (como la DDR) es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y por último por 2 (doble tasa de transferencia), esto se empezó a usar para mostrar la velocidad de transferencia frente a las memorias "Rambus" que eran mas rápidas en sus ciclos de reloj operación, pero solo eran de 16 bits.
Las ranuras para los módulos de memoria vienen marcados con diferentes colores. Cada color es un canal. Esto significa que en el procesador habrá más de una controladora de memoria RAM y que cada controladora se hará cargo únicamente de uno de los canales.
Con triple channel se consigue un ancho de datos de 192 bits a la vez, mientras que con dual chanel se consigue un ancho de datos de 128 bits.
Los requerimientos específicos de las trjetas gráficas, llevaron a crear una memoria RAM específica para estre cometido. Está basada en la memoria DDR3.
Algunas tarjetas gráficas pueden llevar memoria GDDR4, GDDR3 o incluso DDR3 O DDR2.
Samll Outline. Es un módulo diseñado para portátiles. Los módulos DDR3 son de 204 contactos, mientras que los módulos DDR y DDR2 son de 200 contactos
- 1 Módulo FB-DIMM de 240 contactos.
- 2 Circuito impreso.
- 3 Chips de memoria.
- 4 Muesca de posición.
- 5 Muescas de fijación.
- 6 Contactos.
- 7 Controlador AMB.
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